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| (EUR) | marzo 2026 | |
|---|---|---|
| Ricavi | 366,24 Mln | - |
| Utile lordo | 38,58 Mln | - |
| Utile netto | -155,42 Mln | - |
| EBITDA | 51,82 Mln | - |
Dati fondamentali
| Metrica | Valore |
|---|---|
Capitalizzazione di mercato | 3,87 Mld € |
Numero di azioni | 71,49 Mln |
Massimo/minimo a 52 settimane | 98,68 € - 11,33 € |
| Dividendi | No |
Beta | 1,87 |
Rapporto P/E | -18,03 |
Rapporto PEG | 0,05 |
Rapporto P/B | 2,99 |
Rapporto P/S | 6,71 |
Profilo aziendale
Soitec S.A. entwickelt und fertigt weltweit Halbleitermaterialien. Seine Produkte werden für die Herstellung von Chips verwendet, die in Smartphones, Tablets, Computern, IT-Servern und Rechenzentren zum Einsatz kommen, sowie für elektronische Komponenten in Autos, vernetzten Geräten und industriellen und medizinischen Geräten. Das Unternehmen bietet Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) für Kfz-Radar und -Prozessoren sowie PD-SOI- und FinFET-SOI-Produkte für den Hochleistungscomputermarkt. Das Unternehmen bietet auch RF-SOI-Substrate für Front-End-Module sowie für 4G-LTE- und neue 5G-Smartphones im Sub-6-GHz-/mmWave-Bereich an. Darüber hinaus bietet das Unternehmen Power-SOI-Produkte an, die den Anforderungen an die Integration von Hoch- und Niederspannungsfunktionen in Leistungs-ICs für den Automobil- und Industriemarkt entsprechen. Darüber hinaus bietet das Unternehmen Smart Photonics-SOI-Produkte für optische Netzwerke, Smart Imager-SOI-Produkte für die nächste Generation von 3D-Bildsensoren, Auto Smartsic für umweltfreundliche Mobilität, Connect RF-GaN für 5G-Infrastrukturarchitekturen und Smartphone-Leistungsverstärker, Connect-POI-Substrate für leistungsstarke akustische Oberflächenwellenfilter und Galliumnitrid (GAN)-Epitaxiewafer für energieeffiziente Power-Management-Systeme. Soitec S.A. wurde 1992 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Bernin, Frankreich.
| Nome | SOITEC S.A. UNSP. ADR |
| CEO | Laurent Rémont |
| Sede centrale | Bernin,
ara Francia |
| Sito web | |
| Quotazione in borsa | 08/09/2016 |
| Dipendenti | 2128 |
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