Wolfspeed

Wolfspeed, Inc. bietet Materialien aus Siliziumkarbid und Galliumnitrid (GaN), Leistungsbauelemente und Hochfrequenzbauelemente auf der Grundlage von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke und Silizium an. Die Siliziumkarbid- und GaN-Materialien des Unternehmens umfassen blanke Siliziumkarbid-Wafer, epitaktische Wafer und GaN-Epitaxieschichten auf Siliziumkarbid-Wafern. Das Unternehmen bietet seinen Kunden Siliziumkarbid-Materialien für die Herstellung von Produkten für HF-, Leistungs- und andere Anwendungen. Zu den Leistungsbauelementen des Unternehmens gehören Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Leistungsmodule und Gate-Treiber-Platinen für Kunden und Händler zur Verwendung in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen mit Ladeinfrastruktur, Server-Stromversorgungen, Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, industriellen Stromversorgungen und anderen Anwendungen. Die RF-Bauteile des Unternehmens umfassen GaN-basierte Chips, Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit, monolithische integrierte Mikrowellenschaltungen und MOSFET-Leistungstransistoren mit lateraler Diffusion für Telekommunikationsinfrastrukturen, militärische und andere kommerzielle Anwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden auch in den Bereichen Transport, Schnellladung, drahtlose Systeme, 5G, Motorantriebe, erneuerbare Energien und Speicherung sowie in der Luft- und Raumfahrt und im Verteidigungsbereich eingesetzt; Materialprodukte und HF-Bauteile werden in der militärischen Kommunikation, Radar, Satelliten und Telekommunikationsanwendungen verwendet. Das Unternehmen beliefert Kunden in Nordamerika, Asien und Europa. Das Unternehmen war früher als Cree, Inc. bekannt und änderte im Oktober 2021 seinen Namen in Wolfspeed, Inc. um. Wolfspeed, Inc. wurde 1987 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Durham, North Carolina.

Mostrar más