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IntelliEPI Inc. (Cayman) produziert und verkauft über seine Tochtergesellschaften Epitaxiewafer aus Verbindungshalbleitern für den Einsatz in der drahtlosen Kommunikation, der Datenübertragung und der Landesverteidigung in den Vereinigten Staaten, Deutschland, China, Japan, Korea und international. Das Unternehmen setzt seine firmeneigene Technologie zur Echtzeit-Insitu-Wachstumsüberwachung auf Molekularstrahl-Epitaxie-Anlagen (MBE) für die Herstellung von Epi-Wafern auf Galliumarsenid- (GaAs) und Indiumphosphid- (InP) Substraten ein. Zu den Produkten auf GaAs-Basis gehören pseudomorphe Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit und MHEMT-Produkte; zu den Produkten auf InP-Basis gehören bipolare Transistoren mit Heteroübergang, HEMT, RTT und RTD. Das Unternehmen bietet auch Produkte auf Sb-Basis an, wie z.B. SLS-Photodetektoren vom Typ II, InP-HBT auf GaAsSb-Basis und epi-fertige GaSb-Substrate; und nicht angepasste Epi-Produkte, die III-V auf Si, III-V auf Ge und InGaAs mit hohem Gehalt auf Si umfassen. Darüber hinaus bietet das Unternehmen Optoelektronik an, darunter Avalanche-Photodioden, Laser, Hochgeschwindigkeits-Hochfrequenz-Oberflächenemissionslaser, optische Empfänger, Quantenwell-Infrarot-Photodetektoren, Modulatoren und Quantenkaskadenlaser sowie Infrarotlichtdetektoren. Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Richardson, Texas.
Name | IntelliEPI Inc (Cayman) |
Herausgeber | IntelliEPI Inc. (Cayman) |
Fondsdomizil | USA |
Auflagedatum | 24.07.2013 |
Website |
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Länder | Anteil |
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USA | 100,00% |
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