Navitas Semiconductor Corporation

Navitas Semiconductor stellte ein 800V-zu-6V-DC-DC-Board für NVIDIAs MGX-Ökosystem vor, das die 48V-Zwischenstufe eliminiert und GaNFast FETs nutzt, um 97,5 % Spitzenwirkungsgrad und hohe Leistungsdichte für die direkte GPU-Platzierung zu erreichen. Das Unternehmen meldete einen Umsatz im Q1 von 8,6 Mio. USD, wobei die Erlöse aus KI-Infrastruktur gegenüber dem Vorquartal um 50 % und die High-Power-Märkte im Jahresvergleich um 35 % zulegten, während die GAAP-Margen angesichts hoher Skalierungskosten weiterhin negativ sind. Die Aktie hat im Zuge eines möglichen Short Squeeze und von Insider-Aktienverkäufen stark zugelegt, doch Analysten warnen, dass Einführungszeiträume für 800‑V-Architekturen und lange Qualifizierungszyklen bei Hyperscalern das kurzfristige Aufwärtspotenzial begrenzen könnten. » Mehr auf investing.com

Die Aktie von Navitas Semiconductor fiel im Vormittagshandel rund 13,7 % und erreichte ein Tagestief von 26,44 USD, nachdem das Unternehmen die Ausgabe von 3.283.844 Class-A-Aktien per 4. Juni zur Erfüllung bedingter Verpflichtungen angekündigt hat. In der Mitteilung wurde zudem genannt, dass bisher bereits 6.561.282 Aktien ausgegeben wurden und die Gesamtzahl bis auf 10.000.000 steigen könnte, falls bis Oktober 2026 definierte Kursziele erreicht werden, was Anleger vor Verwässerung sorgt. Der Rücksetzer wird durch massive Gewinnmitnahmen nach einer starken Rally (52-Wochen-Hoch 34,17 USD) und eine fortbestehende „Underweight“-Einstufung von Morgan Stanley mit einem Kursziel von 13,70 USD verstärkt. Schwaches Marktumfeld und ein breiter Rückgang im Halbleitersektor verschärften den Verkaufsdruck. » Mehr auf de.investing.com

Die Aktie von Navitas Semiconductor sprang um 25 %, nachdem das Unternehmen eine Zusammenarbeit mit dem NVIDIA MGX Ecosystem zur Beschleunigung von 800‑VDC‑Rack‑Architekturen für KI‑Rechenzentren bekanntgab. Navitas stellt auf der COMPUTEX 2026 eine 800‑V‑auf‑6‑V‑DC‑DC‑Leistungsplatine auf Basis der GaNFast‑Technologie aus, die eine Spitzenwirkungsgrad von 97,5 % anstrebt, mit 16 GaNFast‑FETs (650 V, 11 mOhm), 1 MHz Schaltfrequenz und 2100 W/in³ Leistungsdichte. Die Platine eliminiert die konventionelle 48‑V‑Zwischenkreiswandlerstufe in Compute‑Servern und ist rund 20 % dünner als ein Mobiltelefon. Navitas betont, dass effiziente Energieversorgung zentral für die Realisierung von Gigawatt‑KI‑Fabriken ist; das Unternehmen bietet GaN‑ und SiC‑Leistungshalbleiter an. » Mehr auf de.investing.com