Navitas Semiconductor Corporation

Die Aktie von Navitas Semiconductor kletterte auf ein 52‑Wochen‑Hoch bei $17,81 und liegt aktuell bei $17,98, was einer Marktkapitalisierung von $4,06 Milliarden entspricht; der Kurs ist im letzten Jahr um rund 724,19 % gestiegen. InvestingPro stuft die Aktie im Verhältnis zum Fair Value als überbewertet ein und der RSI deutet auf einen überkauften Zustand hin. Das Unternehmen stellte neue Siliziumkarbid‑MOSFET‑Gehäuse sowie eine hocheffiziente DC‑DC‑Leistungsplatine für NVIDIA‑Rechenzentren vor. Vorstandsebene: Tonya Stevens wurde zum CFO ernannt und Gregory M. Fischer in den Verwaltungsrat berufen. » Mehr auf de.investing.com

Navitas Semiconductor entwickelt Siliziumkarbid( SiC) und Galliumnitrid( GaN) Leistungs‑ICs, die in EV‑Ladegeräten, Mobilgeräten, Solarsystemen und Rechenzentren eingesetzt werden, und gibt für seinen 10 kW DC‑DC‑Wandler eine Effizienz von bis zu 98,5 % an. Der zunehmende Stromverbrauch durch KI‑Rechenzentren und Kostendruck schaffen Nachfrage nach effizienterer Energieverwaltung, was die mittelfristigen Marktwachstumsprognosen für SiC und GaN stützt. Das Unternehmen bleibt unprofitabel und meldete einen Umsatzrückgang von 45 % im Jahresvergleich, während sich die Aktie trotz der Positionierung zur Nutzung der Sektorerweiterung volatil entwickelte. » Mehr auf finance.yahoo.com

Navitas kündigte zwei neue SiC‑MOSFET‑Gehäuse (oberseitig gekühltes QDPAK und flaches TO‑247‑4L) auf Basis der GeneSiC‑Trench‑Assisted‑Planar‑SiC‑Technologie der fünften Generation an. Beide Gehäuse sind für 1200 V ausgelegt, zielen auf KI‑Rechenzentren und Energieinfrastruktur ab und bieten laut Unternehmen bis zu 35 % bessere RDS,ON×QGD‑Kennzahl sowie verbesserte QGD/QGS‑Verhältnisse. Zunächst wurden vier Produkte mit Einschaltwiderständen zwischen 6,5 mΩ und 12 mΩ vorgestellt; das QDPAK unterstützt Oberseitenkühlung, das TO‑247‑4L ist für beengte Baurräume optimiert. Nach der Ankündigung zog die Aktie um 20 % an. » Mehr auf de.investing.com