Samsung Electronics (GDR)

Samsung hat einen Prototypen für 3D-NAND mit 900 Lagen vorgestellt, der auf dem V10-Prozess basiert und zwei Dies mit je 450 Flash-Zell-Layern via Hybrid Copper Bonding stapelt. Technische Probleme wie Wafer-Warping sollen durch einen neuen Substrathalter und verbesserte Overlay-Korrektur behoben worden sein, außerdem wurden Leiterstrukturen für höhere Effizienz optimiert. Wann die doppelt gestapelte Lösung in Serienfertigung geht, ist unklar; sie wäre besonders für Rechenzentren mit wachsendem Speicherbedarf durch KI attraktiv. » Mehr auf golem.de

Nach einem kurz vor Ablauf abgewendeten Streik einigten sich Samsung und die Gewerkschaften auf einen Tarifvertrag mit durchschnittlich 6,2% Lohnerhöhung und der Ausschüttung von 10,5% des Betriebsgewinns an die Belegschaft. Für die Halbleiterabteilung dürften die Boni laut Prognosen im Schnitt rund 291.000 Euro betragen, einzelne Zahlungen könnten bei etwa 340.000 Euro liegen. Rund 89.000 gewerkschaftlich organisierte Beschäftigte stimmen über die Einigung ab; der Kompromiss folgt auf Rekordgewinne des Konzerns (erstes Quartal: knapp 33 Mrd. Euro). » Mehr auf n-tv.de

Samsung hat nach Rekordgewinnen im KI-Boom einen Kompromiss mit der Gewerkschaft vorgelegt: Mitglieder stimmen bis 27. Mai über eine Einigung ab, die eine durchschnittliche Lohnerhöhung von 6,2 Prozent und die Ausschüttung von 10,5 Prozent des Unternehmensgewinns vorsieht. Für Mitarbeiter der Halbleitersparte könnten die Jahresboni laut Prognosen bis zu 600 Millionen Won (rund 340.000 Euro) betragen. Die Einigung verhindert einen angedrohten 18-tägigen Generalstreik nach einem Streit um Bonuszahlungen; Samsungs Quartalsbetriebsgewinn stieg auf 57,2 Billionen Won, was die Aktie auf ein Rekordhoch trieb. » Mehr auf wiwo.de