Navitas Semiconductor Corporation

Navitas Semiconductor entwickelt Siliziumkarbid( SiC) und Galliumnitrid( GaN) Leistungs‑ICs, die in EV‑Ladegeräten, Mobilgeräten, Solarsystemen und Rechenzentren eingesetzt werden, und gibt für seinen 10 kW DC‑DC‑Wandler eine Effizienz von bis zu 98,5 % an. Der zunehmende Stromverbrauch durch KI‑Rechenzentren und Kostendruck schaffen Nachfrage nach effizienterer Energieverwaltung, was die mittelfristigen Marktwachstumsprognosen für SiC und GaN stützt. Das Unternehmen bleibt unprofitabel und meldete einen Umsatzrückgang von 45 % im Jahresvergleich, während sich die Aktie trotz der Positionierung zur Nutzung der Sektorerweiterung volatil entwickelte. » Mehr auf finance.yahoo.com

Navitas kündigte zwei neue SiC‑MOSFET‑Gehäuse (oberseitig gekühltes QDPAK und flaches TO‑247‑4L) auf Basis der GeneSiC‑Trench‑Assisted‑Planar‑SiC‑Technologie der fünften Generation an. Beide Gehäuse sind für 1200 V ausgelegt, zielen auf KI‑Rechenzentren und Energieinfrastruktur ab und bieten laut Unternehmen bis zu 35 % bessere RDS,ON×QGD‑Kennzahl sowie verbesserte QGD/QGS‑Verhältnisse. Zunächst wurden vier Produkte mit Einschaltwiderständen zwischen 6,5 mΩ und 12 mΩ vorgestellt; das QDPAK unterstützt Oberseitenkühlung, das TO‑247‑4L ist für beengte Baurräume optimiert. Nach der Ankündigung zog die Aktie um 20 % an. » Mehr auf de.investing.com

Todd Glickman, Senior Vice President, Chief Financial Officer und Treasurer von Navitas Semiconductor, verlässt das Unternehmen im gegenseitigen Einvernehmen, um sich neuen beruflichen Möglichkeiten zu widmen. Er werde das Management während einer Übergangszeit bei der Suche und Einarbeitung eines Nachfolgers unterstützen; Zeitplan und Nachfolger wurden nicht genannt. Der Schritt erfolgt vor dem Hintergrund von Rentabilitätsproblemen: der Verlust je Aktie lag in den letzten zwölf Monaten bei 0,64 US-Dollar, obwohl die Aktie im vergangenen Jahr stark gestiegen ist. » Mehr auf de.investing.com